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一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法

2014年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后，在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前，采用刻蚀台面的方法，使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长，从而极大的减弱了台面侧面上...

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