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高折射率多晶太阳电池

2014年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1.解决了PECVD通笑气及硅烷生成SiO2钝化及刻蚀后通臭氧生成SiO2钝化工艺需进行设备改造，表面易导致色差的问题
PECVD通笑气及硅烷生成SiO2钝化工艺需在PECVD炉管进气端增加笑气（N2O）进气管路，由于生成的SiO2厚度为8-10nm，过厚的SiO2容易导致表面镀膜时的膜层颜色偏白且不均匀。刻蚀后通臭氧生成SiO2钝化工艺需在刻蚀下料端增加臭氧发生装置，同时由于...
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