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低温制备宽带隙MgZnO晶体薄膜及其物理特性研究

2004年 基础理论
  • 成果简介
当前国际上对ZnO和MgxZn_(1-x)O具体薄膜的研究十分活跃,采用的方法有脉冲激光沉积(PLD)、激光分子束外延(L-MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)。但这些方法只有在高生长温度(550~750℃)下才能制备出高质量的ZnO和MgxZn_(1-x)O晶体薄膜,并且设备昂贵,不利于形成规模化生产。
为此,本课题组在国家自然科学基金资助下,采用低温物理沉积...
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