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HgCdTe外延设备关键技术研究

2014年

应用技术

中期阶段

成果简介

本项目为碲镉汞(HgCdTe)外延设备关键技术研究，来源于中国电子科技集团公司—电子支撑技术项目，主要研制用于红外材料制备的HgCdTe外延设备。HgCdTe外延材料是红外焦平面阵列器件的关键材料，可广泛应用于军工、安防、医疗等领域。
我国用于红外外延生长的设备大多进口于上世纪90年代，不仅设备比较陈旧，而且技术上也难以满足新一代器件性能要求。急需发展大面积HgCdTe...

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