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垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法

2013年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，其中垂直单晶与衬底表面垂直，外延层与垂直单晶平行，金属层平行于衬底的表面，且至少有一层，介质层平行于各金属层之间，进行绝缘隔离，金属层与外延层的界面构成欧姆接触或整流接触，在金属层面上连接外引线。通过在衬底上生长...
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