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大功率、高效率LED 外延与芯片产业化关键技术的研究

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

1、项目采用图形衬底技术，设计新型外延结构及改进外延生长工艺；在芯片制备工艺方面，采用sidewall etching、隐形切割及ODR膜系设计等工艺，实现了LED芯片膜系匹配设计、结构优化及工艺参数匹配，完成了高性能LED芯片的制程研发与验证。
2、项目建成小功率10*23芯片与大功率45*45芯片生产线各一条，达到了项目规定的经济指标，实现了产业化。
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