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LED外延与芯片产业化技术

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

项目采用图形衬底技术，通过优化外延材料，设计新型外延结构及优化外延生长工艺，开发了基于蓝宝石图形衬底（PSS）的高质量、高效率、低位错密度外延片生长技术；在芯片制备工艺方面，采用sidewall etching、隐形切割及ODR膜系设计等工艺，实现了LED芯片膜系匹配设计、结构优化及工艺参数匹配，完成了高性能LED芯片的制程研发与验证，项目建成小功率10*23芯片与大功率45*45芯片生产...

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