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一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及到一种三维电阻转换存储器结构与制造工艺方法。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将有外围电路或电极的晶圆A与存在pn结的晶圆B键合；利用不高于400℃下低温退火增强键合度，同时实现低温单晶薄膜转移，即将具有pn结的单晶材料转移到晶圆A上。随后在晶圆A上再后续进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺，得到想要的pn结二极管单元或肖特基二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极。本...
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