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宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提出一种利用宽带隙半导体二极管作为电阻存储器（RRAM）的选通管。存储单元由一个宽带隙半导体二极管和一个电阻可逆变化的存储介质（简称：阻变存储介质）构成，宽带隙半导体二极管作为开关控制阻变存储介质的开启。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，它与具有高速、高缩微能力、抗辐射等性能好的阻变材料结...
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