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具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备和相临串扰电流的抑制方法，其特征在于制造方法中：首先通过离子注入或者固相热扩散的方法形成低阻埋层，随后通过化学气相沉积工艺生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成位线间的隔离，最后在深沟道和浅沟道隔离围成的区域通过离子注入的方法形成独立的二极管阵列单元；本发明还包括基于上述双浅沟道隔离的外延二极管...
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