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导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种新型的导电氧化物过渡层材料，可被用于提高相变存储器工作的热效率以及降低相变存储器单元功耗，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入导电氧化物过渡层，过渡层厚度控制在2～10nm。过渡层材料具有良好的热稳定性，与介质材料、硫系化合物、W电极都有良好的粘附性。过渡层材料具有较低的热导率，能有效改善器件的热效率。过渡层材料具有较好的导电特性可以避免引入较大...
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