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一种Ti3SiC2基粉体的制备方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提供一种Ti3SiC2基粉体的制备方法。本发明采用(1)将钛粉和聚碳硅烷按照重量比(0.71～2.48)∶1混合并溶于有机溶剂，搅拌烘干使其均匀混合；(2)对烘干的粉料低温裂解，温度为800℃～1200℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min，获得初步反应物；(3)对初步反应物高温处理，温度为1400～1600℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min。根据原料...
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