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IGBT封装与测试技术研发

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1.课题来源与背景
IGBT器件封装与测试技术研发是我公司依托《新型MOSFET电力电子器件封装研发及产业化》项目进行自主研发,项目编号为技12011。
2.技术原理及性能指标
针对原有工艺问题我们开发了结合剂更软的划片刀,降低芯片应力,低粘结力蓝膜减小粘结力,大球面多顶针技术大幅度增加大芯片受力,减小单点受力,使用高低温两种软焊...
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