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基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置

2012年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致...
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