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IC级4″、5″、（6″）背封硅抛光片

2005年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

1、技术说明
以正硅酸乙酯为原料，采用LPCVD技术，在硅腐蚀片背面减压气相沉积SiO_2薄膜，形成对硅抛光片背面封闭，从而防止硅抛光片在IC制作过程的杂质自掺杂现象的发生，同时使用SBD技术，使硅抛光片具有吸杂功能。
2、应用前景
2001年9月份信息产业部提出在“十五”和2010年期间，是我国信息产业做为国民经济的基础产业、先...

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