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Ⅲ族氮化物半导体极化和缺陷研究

2011年 应用技术
  • 成果简介
　　该项成果来源于国家“863”计划、国家自然科学基金重大项目、国家杰出青年基金项目的研究工作。经过十多年的研究实践，结合承担的国际科研任务，对Ⅲ族氮化物半导体的极化和缺陷进行了系统研究，在圆满完成项目任务的基础上，取得一系列原创性成果：建立了CaN自发极化热力学模型，首次给出CaN自发极化强度的间接实验值，设计实现Ⅲ族氮化物异质结构的极化调控；生长出居里温度高于室温的Ⅲ族氮化物半导体自旋电子材料...
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