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化合物半导体材料关键技术研究

2009年 应用技术
  • 成果简介
　　“十一五”期间，中科院半导体研究所承担了多项化合物半导体材料研究的国家科研任务，包括“直径6英寸半绝缘GaAs单晶生长技术”，“新型衬底氮化镓基材料的外延技术”， “氧化锌”。上述项目，均属于化合物半导体材料研究领域，应用领域包括微电子和光电子领域。主要研究内容包括：大直径砷化镓单晶的生长以及晶片加工技术，氮化物外延用新型图形衬底制备技术，氧化锌单晶材料制备技术，高性能氮化镓外延材料制备技术。...
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