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130 lm/w图型衬底高光效GaN基LED外延片

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  该产品通过对各种不同衬底规格及外延结构优化研究,开发出了具有自主知识产权的图型化蓝宝石衬底的全新外延工艺,减少了缺陷密度,提升了芯片质量。采用表面填平技术,经过退火条件优化,使该产品具有较低的工作电压和较高的抗静电能力,提高了工艺的可重复性和产品的成品率。经用户使用,用该外延技术制作的芯片性能稳定、可靠性高,具有较好的市场前景,经济效益和社会效益明显。...
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