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MEMS微结构几何特征计量认证技术研究

2011年

应用技术

中期阶段

成果简介

本成果主要应用于MEMS、新一代微电子工业、光电子工业等领域中微结构特征的计量。本成果提出了转换薄膜厚度为线宽的公称值，采用基于多层薄膜淀积技术制备纳米多线宽结构的新方法，该方法不需要复杂和昂贵的技术和设备，简单易行，且材料选择多样化，解决了50nm及以下MEMS微结构特征的制备难题。本成果研究了常用测量工具（如SEM、AFM等）对MEMS微结构特征的测量技术，基于新一代GPS规范MEMS...

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