首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

多晶硅—绝缘层—金属结构的电容及其制作方法

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种多晶硅—绝缘层—金属结构的电容及其制作方法，本发明的电容采用多晶硅或金属硅化物栅层作为电容下极版，第一层金属作为电容上极板。其制作的方法是利用多晶硅或金属硅化物栅层作为电容的下极板，在多晶硅或金属硅化物表面覆盖层间介质膜、金属阻挡层和金属，并用CMP或回刻法去除硅片表面的金属阻挡层和金属。本发明制造工艺相对简单，精度高，单位面积电容值高，电压线性特性好。...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统