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大尺寸VDMOS管用硅外延片的产业化

2011年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本项目所研究产品为VDMOS用硅外延片。
VDMOS，即功率MOS场效应晶体管，具有优良的电学性能：
①它是电压控制性器件，输入阻抗高，输入电流小，驱动功率小，可以直接采用TTL电路驱动，驱动电路简单；
②它是多子器件，无少子储存效应，故开关速度快，工作频率高；
③具有负电流温度系数，热稳定性好，可靠性高； <...

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