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12英寸32纳米介质刻蚀设备

2011年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　中微第一代刻蚀设备已经达到65纳米的加工工艺要求（可延伸至45纳米技术）。适用于金属层之间连接孔刻蚀、大马士革连接孔刻蚀、硬掩模刻蚀、高深宽比接触孔刻蚀和沟槽刻蚀。在国内外主要芯片制造厂商验证刻蚀的结果证明，产品的加工能力和质量超过了目前国际上最好的同类产品。经过改进和优化的刻蚀设备，将在以下几个方面更为成熟：
　　对一些可控参数（如气压、流量、电压及射频输出功率等）偏离正常值的探...
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