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大面积/多片高温碳化硅（SIC）化学气相沉积系统

2010年

应用技术

成果简介

碳化硅（SiC）是一种具有极其优异性能的第三代化合物半导体材料，它不但具有宽禁带（Si的3倍）、高热导率（Si的3.3倍）、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5倍)等特点，而且还具有极好的物理及化学稳定性、极强的抗辐照能力和机械强度等，因此，SiC可以用于制作高温、大功率、微波功率器件，可广泛用于地面核反应堆系统、石油勘探、环境检测以及航空航天、雷达通讯系统、大功率...

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