首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法

2010年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了（110）晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与（112）晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对（111）晶面的低速腐蚀减小宽度，在（110）绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为（111）晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统