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6英寸砷化镓MLEC体单晶中试研究

2004年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1、在大直径半绝缘砷化镓单晶生长工艺技术的研发方面取得了突破性进展：全面完成合同各项技术指标，晶体质量达到国际先进水平。建成3～4英寸半绝缘砷化镓LEC体单晶年生产能力50000片的中试生产线；建成2英寸半导体砷化镓单晶片年生产能力150000片的产业化生产线。
2、在大直径砷化镓单晶晶片加工工艺技术的研发方面取得了突破性进展：现已完全掌握开盒即用晶片加工技术，晶片加工...
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