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半导体材料碳化硅晶体制备技术及产业化

2010年

应用技术

初期阶段

成果简介

本项目属于新一代信息功能材料及器件。技术内容包括
1）、物理气相传输法（PVT）：将碳化硅粉料加热到2200℃-2400℃使其分解成气相（主要为Si、 Si2C 、SiC2）再升华到冷端籽晶上结晶成块状晶体。
2)、多型性和微管密度控制技术：该技术是保证获得单一晶型和低微管密度SiC晶体的关键性技术。
3)、动态压力的精确控制技术...

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