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显示屏用GaN基外延片的研制与产业化

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
项目改进完善了复合缓冲层外延生长技术，优化了n型GaN生长工艺，生长出低缺陷密度、高晶体质量、低吸光率的n型GaN材料，开发出具有高内量子效率的蓝绿光多量子阱结构，制备出高空穴浓度的p型AlGaN及GaN层。首次提出并研制了电容式超晶格结构，实现注入电流的均匀扩展，大幅度提高了器件抗静电放电能力。通过改进工艺和外延结构设计提高了反向电压，减少了漏电流，提高了产品的可靠性和均匀性。通过优化量...
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