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大直径区熔硅单晶的制备技术及应用

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本项目采用的大直径区熔硅单晶(FZ)生长技术由天津市环欧半导体材料技术有限公司（以下简称环欧公司）独立开发，具有自主知识产权，并获国家发明专利10项。2002 年环欧公司拉制出中国第一颗Φ6"区熔硅单晶，该生产技术的突破标志着我国半导体材料行业的区熔硅单晶生长技术水平达到了国际先进水平，也奠定了我国半导体材料产业在该技术上在国际上与发达国家进行竞争的基础。...
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