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大直径碳化硅晶体生长工艺与设备

2010年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本项目属于新材料领域中的非金属功能材料和光电信息材料领域，为2005年度陕西省重大科技创新项目专项资金支持项目。
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件和耐高温集成电路的优选材料，也是氮化镓白光LED和氮化镓微波功...
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