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硅与硅锗低维量子结构及其发光机理物理模型

2009年 基础理论
  • 成果简介
　　用纳秒和飞秒激光在硅基上和硅锗薄膜上成功加工出点状、线状和面状等低维量子结构；结合氧化硅锗合金析出锗原子自组织凝聚的方法，在氧化硅表层生成约一个纳米厚的锗膜，其PL发光比电化学加工出的普通多孔硅PL发光强两个数量级。控制激光加工与氧化条件可以获取钉扎在650nm～750nm波段中很强的发光峰，并首次观察到硅基氧化量子点在700nm波长邻域的受激发光。
　　针对实验中新的结果，构造硅...
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