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分子束外延InAs/GaInSb应变超晶格的界面结构研究

2009年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
根据能带工程，调节超晶格周期、阱宽、GaInSb中InSb的摩尔比等参数，进行了InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格的结构设计；利用晶体结构理论，开展了高质量缓冲层的组分选择和结构设计，并采用二步生长法进行缓冲层的制备；在超晶格界面结构研究和生长动力学分析的基础上，确定了超晶格的优化结构和间断生长法等外延生长工艺；研究了超晶格的界面反应、界面结构和界面类型，着重分析界面结构的形成过程及...
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