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磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生方法

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明设计中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断生长制备方法。其特征是：（1）四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：（a）都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP；（b）只采用硅一种主掺杂剂；（c）采用InP/InP复合下波导包裹...

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