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廉价多晶硅薄膜太阳电池

2009年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
一种廉价多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P+层及阻挡衬底杂质向多晶硅薄膜扩散的SiO2隔离层；所说的衬底是选用低品质的多晶硅片，其纯度＜4N。本发明的最大优点是：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间增加了SiO2隔离层和重掺P+层，使得低品质的多晶硅片衬底...
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