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大直径半绝缘砷化镓单晶中缺陷热稳定性的研究

2009年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　砷化镓（GaAs）迁移率高、禁带宽度大，具有高速、高频、耐高温、低噪声和抗辐射等特点，在军事领域和商用领域都有极重要的应用。
　　SI-GaAs晶体质量的好坏，对GaAs器件性能和成品率有着直接影响。大直径生长必须大投料量，使得大容量的GaAs熔体要产生剧烈的热对流，该热对流的驱动力是与坩埚半径的三次方成正比的。此时晶体生长界面处温度波动可达到15～16℃，它将严重干扰GaAs晶体...

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