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高浓度掺镁铌酸锂晶体Mg-LN

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
主要技术：
1、优化的原料配方和制备：选用高纯物相均匀原料、采用二次烧结法制料，用碳酸镁代替氧化镁。
2、晶体生长：电子模拟体，隔离控制信号，变幅度进相信号控径技术，机械式磁浮力消除技术，低的生长速度，大大降低了晶体内的生长条纹密度。晶体缺陷控制，特别是生长层和散射；连续加料晶体生长控制晶体组份技术。
主要性能指标：
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