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GaN半导体光电材料的规模化生产技术的检测设备

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
通过对LED外延片的逐点扫描测量，获得外延片的积分光强、中心波长、光谱半宽、主波长、导通电压和薄膜厚度等分布图及数据；相应的截面和单点的分布图；离线处理软件及根据用户要求进一步完善的软件等。光致发光检测时间优于1分钟/片（2英寸32×32），光谱分辨率优于1nm。光谱动态范围256级。在检测速度、质量及稳定性等方面达到国际先进水平，软件方面独具特色。已经获得发明专利2项。
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