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硅离子注入半绝缘GaAs电激活均匀性的研究

2001年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
半导体离子注入技术，它广泛应用于生产制造微电子、光电子器件，在信息产业中占有相当重要位置。然而由于化合物半导体材料，如GaAs晶片本身存在着电参数横向（中心/边缘）和纵向（沿深度方向）非均匀性，它同时也引起注入后电激活层电参数的横向和纵向的非均匀性。它直接降低了微电子，光电子器件的生产成本和效率。这在我们1995年研制的“全离子注入型GaAs霍尔传感器件”（北京701厂生产），其技术指标虽...
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