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ZnO肖特基二极管

2004年

应用技术

成果简介

ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。该ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，有利于提高截止频率。由于采用ZnO薄膜，因此该二极管原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频丁作，抗辐射能力强。此外，由于有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结...

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