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1.55μmInGaAsInGaAsP微蝶激光器的研究

2001年

基础理论

成果简介

我们所研制的InGaAs/InGaAsP碟型微腔激光器由两部分组成：一是由多量子阱构成的微碟层，另一个是支柱层，该层用来形成细圆柱以支撑微碟于低折射率介质中。InGaAs/InGaAsP量子阱材料是以气源MBE方法生长的。因为所研制的是光泵浦激光器，所以各层均未掺杂。在半绝缘衬底上生长一薄层InGaAsP刻蚀停止层（200-300nm），这层的作用是在刻蚀工艺中避免选择性腐蚀时腐蚀进入In...

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