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808nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件研究

2001年

应用技术

中期阶段

成果简介

1.任务来源：
吉林省科技发展计划项目：
808nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件研究
项目编号：吉科合字第980105-03号
2.简要技术说明：
国际上首次提出肖特基势垒接触无铝量子阱大功率半导体激光器列阵新结构，在国内率先开展并首次成功地研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP...

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