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100兆位存贮器芯片的研究

2001年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本项目利用有机电双稳材料代替硅来制作存贮密度特高（可达每平方厘米100兆位）的存贮器。这种非硅存贮器的优点是密度高、速度快、成本低，并有非易失性。结构采用存贮材料两边分别加有X-Y交叉线，每一交叉线的结点构成1个存贮单元。当导线的周期为1微米时，可达每平方厘米100兆位的要求。...
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