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超深亚微米集成电路版图可制造性校正和验证技术

2007年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
从超深亚微米到纳米级的集成电路生产普遍采用了亚波长光刻技术，以当前65nm工艺为例，光刻机采用193nm的光源波长，而所制造产品的特征尺寸远不到光源波长的一半。亚波长光刻的采用要求在集成电路掩模设计中必须使用基于光学校正的可制造性设计技术。从2001年开始，浙江大学针对当时国际上刚刚起步的集成电路可制造性校正和验证技术，在国内开始了相关的研究工作。经过国家自然科学基金和浙江省科技计划的支持...
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