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用于厚膜GaN制备的HVPE设备

2004年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　氢化物气相外延（HVPE）具有生长速度快、成本低的优点，非常适合制备厚膜GaN作为GaN基材料外延生长的衬底。本成果涉及一种用于制备厚膜GaN的水平式HVPE设备。由于采用了特殊的喷淋头结构设计，保证了源气具有较好的均匀性，避免了源的预反应。通过合理的选择工艺条件，我们在实验室中获得了高质量的厚膜GaN材料。...

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