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一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构的制备工艺

2008年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种应用新型高介电常数材料-立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中的绝缘层材料的制备工艺,属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层,其晶格常数a:0.4222nm,介电常数:10.7,禁带宽度 5eV。具体MIS结构为:金属电极-MgZnO晶体薄膜-Si单晶-金属电极;金属电极-MgZnO晶体薄膜-SiO2- S...
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