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改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺

2008年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入后引入二氧化硅层缓解高温退火下锗的外扩散和晶格质量恶化，得到锗含量高的绝缘体上的硅锗材料。离子注入的能量是15～80keV，注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，...
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