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一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法

2008年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压曲线的方法，表征薄膜以及超薄SOI (Silicon-On-Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的...
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