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典型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长与性能表征

2008年

基础理论

成果简介

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是指由ⅡB族元素Zn、Cd、Hg与VI族元素S、Se、Te形成的二元、三元乃至四元化合物。这些化合物以其优异的光电子特性成为红外、激光等高技术领域的关键材料，是上世纪90年代以来新材料的研究热点之一。除了众所周知的红外探测材料HgCdTe以外，CdZnTe被认为是可在室温条件下工作的最佳高能射线探测材料，可应用于核医学仪器、防恐安全检测、工业安全监测以及空间研究探测器等...

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