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硅表面原子操纵形成的纳米级或原子级结构的稳定性研究

2000年 应用技术
  • 成果简介
　　本项目在原子操纵方面，研究了硅表面原子操纵形成的纳米人工结构及其稳定性；采用STM开展了有序缺陷控制生长的研究；通过局域化分析发展了格位结合能方法，得到与实验相符的原子脱附能计算结果；研究了硅7×7表面顶戴原子脱附的响应特性，提出键响应驰豫模型，成功描述了单原子提取过程中被提取原子与衬底之间的微观响应特性，预言在被提取原子与衬底原子之间可引发电荷振荡。在纳米级自组织有序结构方面，在硅表面制备了...
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