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GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性

2004年

应用技术

成果简介

对采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的GaN1-xPx三元合金进行了低温光致发光(PL)和X射线衍射(XRD)测试分析，与来自GaN层的带边发射相比，P的摩尔分数比为0.03，0.11和0.15的GaN1-xPx的光致发光峰分别呈现出了73meV，78meV和100meV的红移，文中将这种红移归因于GaN1-xPx合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx...

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