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SF200超快恢复二极管芯片

2008年

应用技术

成果简介

　　传统的普通快恢复整流二极管芯片采用P-I-N结构及电子幅照引进复合中心工艺，其功率难以做大，反向恢复时间trr不能进一步降低。本产品在结构设计上应用了计算机技术对结构及掺杂杂质和浓度进行最佳方案设计采用5区结构；在反向恢复时间控制上采用新型的重金属扩散源及自主研发的扩散工艺。
　　关键技术和关键工艺：
　　（1）结构设计技术，包括P^＋区、P区、N^－区、N区、N^＋区...

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